Infineon BSM200GB120DLCE3256HOSA1

Infineon BSM200GB120DLCE3256HOSA1

Артикул: C6753511 Part Number: BSM200GB120DLCE3256HOSA1 Производитель: Infineon
от 1.147300 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.026500 ₽
200 шт. 1.207900 ₽
500 шт. 1.167000 ₽
1000 шт. 1.147300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT IGBT Module
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.55kW
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 200A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+125℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Заряд затвора (Qg) 2.1uC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) -
Входная ёмкость (Cies) 13nF
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) 850pF
Время задержки включения Td(on) -
Время задержки выключения Td(off) -
Энергия потерь при включении (Eon) -
Энергия потерь при выключении (Eoff) -
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

1.55kW 200A 1.2kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы