Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363-6
Артикул: C672245
Part Number: BCR22PNH6327XTSA1
Производитель: Infineon
от 0.486500 ₽
В наличии: 171 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.902400 ₽ |
| 10 шт. | 0.732100 ₽ |
| 30 шт. | 0.647000 ₽ |
| 100 шт. | 0.563400 ₽ |
| 500 шт. | 0.512700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.486500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.5V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.5V@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 22kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 130MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 PNP со встроенными резисторами смещения транзистор, 1 NPN 50V 100mA 250mW поверхностный монтаж SOT-363-6