Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363-6
Артикул: C672122
Part Number: BCR08PNH6327XTSA1
Производитель: Infineon
от 0.068900 ₽
В наличии: 3685 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.138200 ₽ |
| 50 шт. | 0.108400 ₽ |
| 150 шт. | 0.093500 ₽ |
| 500 шт. | 0.082300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.073400 ₽ |
| 6000 шт. | 0.068900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 70 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 500mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 800mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.047 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 170MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 PNP со встроенными резисторами смещения транзистор, 1 NPN 50V 100mA 250mW поверхностный монтаж SOT-363-6