18V, 5A eFuse микросхема с регулируемый защита от перегрузки по току и обратный ток блокировка FET управление

18V, 5A eFuse микросхема с регулируемый защита от перегрузки по току и обратный ток блокировка FET управление

Артикул: C6716887 Part Number: TCKE812NL,RF Производитель: TOSHIBA
от 0.818100 ₽ В наличии: 3267 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.112500 ₽
10 шт. 0.998700 ₽
30 шт. 0.935200 ₽
100 шт. 0.863700 ₽
500 шт. 0.832800 ₽
1000 шт. 0.818100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип полевого транзистора Integrated FET
Количество каналов 1
Пороговое напряжение -
Ток срабатывания -
Пиковый выходной ток отдачи (Source) -
Пиковый выходной ток поглощения (Sink) -
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 28mΩ
Напряжение питания 4.4V~18V
Длина 3mm
Ширина 3mm
Высота 0.7mm
Рабочая температура -40℃~+85℃
Особенности Overcurrent Protection;Short-Circuit Protection;Overvoltage clamping protection;Thermal Protection;Under-voltage lockout

Описание

4.4V~18V 1 WSONB-10(3x3) регулирование и управление током RoHS