PN Junction Semiconductor P3M06060G7
Артикул: C6625354
Part Number: P3M06060G7
Производитель: PN Junction Semiconductor
от 9.894800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 26.101600 ₽ |
| 200 шт. | 10.416100 ₽ |
| 500 шт. | 10.067600 ₽ |
| 1000 шт. | 9.894800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 44A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 159W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 79mΩ@15V |
| Заряд затвора (Qg) | 53.1nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.911nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 15.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 162pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
159W 650V 44A 1.8V 79mΩ@15V 1 N-канальный N-канальный D2PAK-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS