DIODES VN10LPSTZ
Артикул: C6603550
Part Number: VN10LPSTZ
Производитель: DIODES
от 0.281900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.742600 ₽ |
| 200 шт. | 0.297100 ₽ |
| 500 шт. | 0.286500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.281900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 270mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 625mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Входная ёмкость (Ciss) | 60pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 25pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
625mW 60V 270mA 2.5V 5Ω@10V 1 N-канальный N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS