VISHAY SISS67DN-T1-GE3

VISHAY SISS67DN-T1-GE3

Артикул: C6488358 Part Number: SISS67DN-T1-GE3 Производитель: VISHAY
от 0.432700 ₽ В наличии: 5 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.139000 ₽
200 шт. 0.454000 ₽
500 шт. 0.439300 ₽
1000 шт. 0.432700 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 P-Channel
Напряжение сток–исток 30V
Непрерывный ток стока (Id) 60A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 65.8W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 2.5V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 5.5mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 111nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 4.38nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 460pF

Описание

30V 60A 2.5V 65.8W 5.5mΩ@10V 1 P-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS