VISHAY SIHD11N80AE-T1-GE3
Артикул: C6488230
Part Number: SIHD11N80AE-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.343900 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.416000 ₽ |
| 10 шт. | 1.384800 ₽ |
| 30 шт. | 1.365200 ₽ |
| 100 шт. | 1.343900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 78W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 42nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 804pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
Описание
800V 8A 4V 78W 1 N-канальный DPAK одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS