VISHAY SIDR668DP-T1-RE3

VISHAY SIDR668DP-T1-RE3

Артикул: C6488223 Part Number: SIDR668DP-T1-RE3 Производитель: VISHAY
от 1.338200 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.526600 ₽
200 шт. 1.408000 ₽
500 шт. 1.361000 ₽
1000 шт. 1.338200 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Напряжение сток–исток 100V
Непрерывный ток стока (Id) 23.2A;95A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 6.25W;125W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 3.4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 4.8mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 108nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 5.4nF

Описание

100V 3.4V 4.8mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)