VISHAY SI4155DY-T1-GE3
Артикул: C6488209
Part Number: SI4155DY-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.259200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.685100 ₽ |
| 200 шт. | 0.272800 ₽ |
| 500 шт. | 0.263700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.259200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10.2A;13.6A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5W;4.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 15mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 50nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.87nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 212pF |
Описание
30V 1.2V 15mΩ@10V 1 P-канальный SOIC-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS