Infineon IHW30N120R3

Infineon IHW30N120R3

Артикул: C648664 Part Number: IHW30N120R3 Производитель: Infineon
от 6.137900 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 6.329600 ₽
10 шт. 6.248400 ₽
30 шт. 6.193100 ₽
100 шт. 6.137900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 349W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 30A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.55V
Заряд затвора (Qg) 263nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.8V
Входная ёмкость (Cies) 2.038nF
Выходная ёмкость (Coes) 68pF
Проходная ёмкость (Cres) 59pF
Время задержки включения Td(on) -
Время задержки выключения Td(off) 326ns
Энергия потерь при включении (Eon) -
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.47mJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

349W 30A 1.2kV TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы