MICROCHIP 2N6351E3
Артикул: C6379817
Part Number: 2N6351E3
Производитель: MICROCHIP
от 27.123100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 71.548600 ₽ |
| 200 шт. | 28.549200 ₽ |
| 500 шт. | 27.594400 ₽ |
| 1000 шт. | 27.123100 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 150V |
| Ток коллектора (Ic) | 5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Рабочая температура | -65℃~+200℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000@5V,5A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@10mA,5A |
| Ток отсечки коллектора | 1uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V;12V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | - |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
150V 1000@5V,5A 5A NPN TO-33 одиночные биполярные транзисторы