DIODES ZTX857QSTZ
Артикул: C6338286
Part Number: ZTX857QSTZ
Производитель: DIODES
от 0.527400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.388300 ₽ |
| 200 шт. | 0.554700 ₽ |
| 500 шт. | 0.536500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.527400 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 300V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.2W |
| Ток коллектора (Ic) | 3A |
| Рабочая температура | -55℃~+200℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Ток отсечки коллектора | 50nA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 80MHz |
Описание
300V 100 3A NPN одиночные биполярные транзисторы