VISHAY SIHG33N65E-GE3
Артикул: C6296659
Part Number: SIHG33N65E-GE3
Производитель: VISHAY
от 3.679300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.704500 ₽ |
| 200 шт. | 3.873000 ₽ |
| 500 шт. | 3.742800 ₽ |
| 1000 шт. | 3.679300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 21A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 313W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 105mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 173nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.04nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 6pF |
Описание
650V 21A 2V 313W 105mΩ@10V 1 N-канальный TO-247AC одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS