Кремний N-канальный MOS (U-MOSIX-H) MOSFET-транзисторы
Артикул: C6290618
Part Number: TPW1R104PB,L1XHQ
Производитель: TOSHIBA
от 0.930400 ₽
В наличии: 54 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.007900 ₽ |
| 10 шт. | 0.975400 ₽ |
| 30 шт. | 0.953600 ₽ |
| 100 шт. | 0.930400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 132W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 0.95mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 55nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.56nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 320pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.94nF |
Описание
40V 120A 3V 132W 0.95mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DSOPADVANCE-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS