VISHAY SISS04DN-T1-GE3
Артикул: C6228310
Part Number: SISS04DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.622500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.643000 ₽ |
| 200 шт. | 0.656300 ₽ |
| 500 шт. | 0.633200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.622500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50.5A;80A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 5W;65.7W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.2mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 93nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.46nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 202pF |
Описание
30V 2.2V 1.2mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS