DIODES DMT10H009SSS-13
Артикул: C6225434
Part Number: DMT10H009SSS-13
Производитель: DIODES
от 0.413700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.091100 ₽ |
| 200 шт. | 0.436500 ₽ |
| 500 шт. | 0.421300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.413700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A;42A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.1W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 29.8nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.085nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 13pF |
Описание
100V 4V 2.1W 9mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS