DIODES DMN3009SFGQ-13
Артикул: C6225370
Part Number: DMN3009SFGQ-13
Производитель: DIODES
от 0.371300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.980400 ₽ |
| 200 шт. | 0.391000 ₽ |
| 500 шт. | 0.378900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.371300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 16A;45A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 900mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 42nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 248pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 315pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
900mW 30V 1.4V 5.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PowerDI3333-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS