DIODES DXTN5860DFDB-7
Артикул: C6189012
Part Number: DXTN5860DFDB-7
Производитель: DIODES
от 0.140200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.369700 ₽ |
| 200 шт. | 0.147500 ₽ |
| 500 шт. | 0.142600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.140200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 60V |
| Ток коллектора (Ic) | 6A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 690mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 280 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 22mV;45mV;95mV;175mV;110mV;120mV;230mV |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Конфигурация | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 115MHz |
Описание
60V 280 6A 1 NPN NPN одиночные биполярные транзисторы RoHS