DIODES DMN10H170SVTQ-13
Артикул: C6183660
Part Number: DMN10H170SVTQ-13
Производитель: DIODES
от 0.171200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.451600 ₽ |
| 200 шт. | 0.180200 ₽ |
| 500 шт. | 0.174200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.171200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.6A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.2W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 160mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 9.7nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.167nF |
Описание
100V 2.6A 3V 1.2W 160mΩ@10V 1 N-канальный TSOT-26 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS