500V N-канальный обогащение режим MOSFET

500V N-канальный обогащение режим MOSFET

Артикул: C6069583 Part Number: YFW8N50AD Производитель: YFW
от 0.200000 ₽ В наличии: 2430 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.395000 ₽
10 шт. 0.311400 ₽
30 шт. 0.275400 ₽
100 шт. 0.231100 ₽
500 шт. 0.211500 ₽
1000 шт. 0.200000 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 500V
Конфигурация -
Непрерывный ток стока (Id) 8A
Рабочая температура -
Рассеиваемая мощность (Pd) 100W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 680mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 22nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 891pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 7pF
Выходная ёмкость (Coss) 110pF

Описание

500V 8A 4V 100W 680mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS