650V N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C6069582
Part Number: YFW7N65AF
Производитель: YFW
от 0.229500 ₽
В наличии: 33 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.455600 ₽ |
| 10 шт. | 0.358900 ₽ |
| 50 шт. | 0.318000 ₽ |
| 100 шт. | 0.267200 ₽ |
| 500 шт. | 0.244200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.229500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7A |
| Рабочая температура | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 48W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.2Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 33nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.01nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 92pF |
Описание
650V 7A 4V 48W 1.2Ω@10V 1 N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS