100V N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C6069574
Part Number: YFW3N10B
Производитель: YFW
от 0.031400 ₽
В наличии: 3000 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.061200 ₽ |
| 100 шт. | 0.048400 ₽ |
| 300 шт. | 0.042000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.037200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.033300 ₽ |
| 9000 шт. | 0.031400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 260mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 9.7nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 508pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 16.4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 29pF |
Описание
100V 2.8A 1.5V 1W 260mΩ@10V 1 N-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS