30V N-канальный обогащение режим MOSFET

30V N-канальный обогащение режим MOSFET

Артикул: C6069569 Part Number: YFW3400B Производитель: YFW
от 0.025600 ₽ В наличии: 2970 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.049400 ₽
100 шт. 0.039200 ₽
300 шт. 0.034100 ₽
3000 шт. 0.030200 ₽
6000 шт. 0.027200 ₽
9000 шт. 0.025600 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 30V
Конфигурация -
Непрерывный ток стока (Id) 5.8A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 1W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 950mV
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 26mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) -
Входная ёмкость (Ciss) 662pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 43.6pF
Выходная ёмкость (Coss) 51.3pF

Описание

30V 5.8A 950mV 1W 26mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS