650V N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C6069565
Part Number: YFW16N65AF
Производитель: YFW
от 0.406500 ₽
В наличии: 50 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.762100 ₽ |
| 10 шт. | 0.616200 ₽ |
| 50 шт. | 0.544100 ₽ |
| 100 шт. | 0.472000 ₽ |
| 500 шт. | 0.427800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.406500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 16A |
| Рабочая температура | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 70W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 450mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 71nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.25nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 17pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 208pF |
Описание
650V 16A 4V 70W 450mΩ@10V 1 N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS