650 V CoolSiC M1 SiC траншейный мощность устройство
Артикул: C6061978
Part Number: IMT65R057M1HXUMA1
Производитель: Infineon
от 5.067200 ₽
В наличии: 7 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.380300 ₽ |
| 10 шт. | 5.245900 ₽ |
| 30 шт. | 5.155700 ₽ |
| 100 шт. | 5.067200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 44A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 203W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 74mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 28nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 930pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 11pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 139pF |
Описание
650V 44A 5.7V 203W 74mΩ 1 N-канальный N-канальный HSOF-8-1 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS