650V,40A ограничение поля траншейный IGBT
Артикул: C606125
Part Number: FGH40T65SHD-F155
Производитель: onsemi
от 0.965300 ₽
В наличии: 745 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.679800 ₽ |
| 10 шт. | 1.414300 ₽ |
| 30 шт. | 1.247200 ₽ |
| 90 шт. | 1.076700 ₽ |
| 510 шт. | 0.998100 ₽ |
| 990 шт. | 0.965300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 268W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 72.2nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V@40mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.995nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 70pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 23pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19.2ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 65.6ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.01mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 297uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 31.8ns |
Описание
268W 80A 650V FS (ограничение поля) TO-247-G03 одиночные IGBT-транзисторы RoHS