onsemi FGY100T65SCDT
Артикул: C605149
Part Number: FGY100T65SCDT
Производитель: onsemi
от 20.803400 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 24.530200 ₽ |
| 10 шт. | 23.652900 ₽ |
| 30 шт. | 22.130700 ₽ |
| 100 шт. | 20.803400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 750W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 200A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 250uA |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 157nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.3V |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.31nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 384pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 46pF |
| Время задержки включения Td(on) | 8ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 216ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5.4mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.8mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 62ns |
Описание
750W 200A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS