IGBT - ограничение поля, траншейный 650 V, 40 A
Артикул: C605142
Part Number: FGH40T65SQD-F155
Производитель: onsemi
от 1.832200 ₽
В наличии: 154 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.120300 ₽ |
| 10 шт. | 2.640200 ₽ |
| 30 шт. | 2.338600 ₽ |
| 90 шт. | 2.032200 ₽ |
| 510 шт. | 1.892900 ₽ |
| 990 шт. | 1.832200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 238W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 80nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.6V@40mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.62nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 60pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9pF |
| Время задержки включения Td(on) | 16.4ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 80ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 138uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 52uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 31.8ns |
Описание
238W 80A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3LD одиночные IGBT-транзисторы RoHS