onsemi FGD3050G2

onsemi FGD3050G2

Артикул: C605139 Part Number: FGD3050G2 Производитель: onsemi
от 4.854400 ₽ В наличии: 5 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 5.057500 ₽
10 шт. 4.969800 ₽
30 шт. 4.912900 ₽
100 шт. 4.854400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 150W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 500V
Ток коллектора (Ic) 32A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃@(Tj)
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.1V
Заряд затвора (Qg) 22nC@5V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 1.6V
Входная ёмкость (Cies) -
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) -
Время задержки включения Td(on) 900ns
Время задержки выключения Td(off) 5.4us
Энергия потерь при включении (Eon) -
Энергия потерь при выключении (Eoff) -
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

150W 32A 500V TO-252-2 одиночные IGBT-транзисторы RoHS