onsemi TIP111G

onsemi TIP111G

Артикул: C604822 Part Number: TIP111G Производитель: onsemi
от 1.314400 ₽ В наличии: 50 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.359900 ₽
10 шт. 1.340400 ₽
30 шт. 1.327400 ₽
100 шт. 1.314400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 80V
Рассеиваемая мощность (Pd) 2W
Ток коллектора (Ic) 2A
Рабочая температура -65℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.5V
Ток отсечки коллектора 1mA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.8V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

80V 1000 2A NPN TO-220 одиночные биполярные транзисторы RoHS