onsemi NVMD4N03R2G
Артикул: C604558
Part Number: NVMD4N03R2G
Производитель: onsemi
от 0.277200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.753600 ₽ |
| 200 шт. | 0.291700 ₽ |
| 500 шт. | 0.282000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.277200 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 48mΩ@10V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Заряд затвора (Qg) | 16nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 400pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 70pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 95pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 4A 48mΩ@10V 2W 1V 2 N-канальный SOIC-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS