Мощность один N-канальный MOSFET
Артикул: C604501
Part Number: NTTFS4C13NTAG
Производитель: onsemi
от 0.272600 ₽
В наличии: 1496 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.527100 ₽ |
| 10 шт. | 0.417800 ₽ |
| 30 шт. | 0.372100 ₽ |
| 100 шт. | 0.313400 ₽ |
| 500 шт. | 0.288900 ₽ |
| 1500 шт. | 0.272600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 38A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 21.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9.4mΩ@10V;14mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 7.8nC@4.5V;15.2nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 770pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 127pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 443pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
21.5W 30V 38A 2.1V 1 N-канальный N-канальный WDFN-8(3.3x3.3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS