onsemi NSVMUN5314DW1T3G
Артикул: C604380
Part Number: NSVMUN5314DW1T3G
Производитель: onsemi
от 0.406200 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.672600 ₽ |
| 10 шт. | 0.563800 ₽ |
| 30 шт. | 0.508600 ₽ |
| 100 шт. | 0.454900 ₽ |
| 500 шт. | 0.422500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.406200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V@1mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.21 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
80 250mW 100mA 50V 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-363 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS