onsemi NSVMMUN2233LT3G
Артикул: C604378
Part Number: NSVMMUN2233LT3G
Производитель: onsemi
от 0.239300 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.249300 ₽ |
| 50 шт. | 0.245000 ₽ |
| 150 шт. | 0.242200 ₽ |
| 500 шт. | 0.239300 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 246mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 6.1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.12 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 80 100mA 246mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS