onsemi NSBA114YDXV6T1G
Артикул: C604325
Part Number: NSBA114YDXV6T1G
Производитель: onsemi
от 0.040500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.110200 ₽ |
| 200 шт. | 0.042700 ₽ |
| 500 шт. | 0.041200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.040500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 357mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.25 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
80 357mW 100mA 50V 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы SOT-563 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS