onsemi NGTB60N65FL2WG
Артикул: C604150
Part Number: NGTB60N65FL2WG
Производитель: onsemi
от 2.097600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.718600 ₽ |
| 200 шт. | 2.213400 ₽ |
| 500 шт. | 2.136200 ₽ |
| 1000 шт. | 2.097600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 595W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.64V |
| Заряд затвора (Qg) | 318nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.193nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 311pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 202pF |
| Время задержки включения Td(on) | 117ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 265ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.59mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 660uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 96ns |
Описание
595W 100A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS