onsemi NGTB40N60L2WG
Артикул: C604149
Part Number: NGTB40N60L2WG
Производитель: onsemi
от 0.997100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.716600 ₽ |
| 200 шт. | 1.052700 ₽ |
| 500 шт. | 1.015700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.997100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 417W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.65V |
| Заряд затвора (Qg) | 228nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 5.286nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 213pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 147pF |
| Время задержки включения Td(on) | 98ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 213ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.17mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 280uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 73ns |
Описание
417W 80A 600V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS