Infineon F475R07W2H3B51
Артикул: C6040506
Part Number: F475R07W2H3B51
Производитель: Infineon
от 71.594800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 188.860700 ₽ |
| 195 шт. | 75.357300 ₽ |
| 495 шт. | 72.838900 ₽ |
| 1005 шт. | 71.594800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 75A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V |
| Заряд затвора (Qg) | 800nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.7nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 140pF |
| Время задержки включения Td(on) | 27ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 280ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.15mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
250W 75A 650V IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы RoHS