Ограничение поля траншейный IGBT 650 V, 75 A
Артикул: C603145
Part Number: AFGHL75T65SQDT
Производитель: onsemi
от 9.041700 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.528000 ₽ |
| 10 шт. | 9.319200 ₽ |
| 30 шт. | 9.180500 ₽ |
| 100 шт. | 9.041700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 136nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.4V@75mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.617nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 152pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 13pF |
| Время задержки включения Td(on) | 24ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 106ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.12mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.14mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 75ns |
Описание
375W 80A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3L одиночные IGBT-транзисторы RoHS