IGBT, 650V 40A в корпусе TO247 обеспечивающий усовершенствованный оконечный испытание покрытие для лучше и повышенной надёжности performance.
Артикул: C603142
Part Number: AFGHL40T65SPD
Производитель: onsemi
от 5.830800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.438300 ₽ |
| 10 шт. | 7.585400 ₽ |
| 30 шт. | 6.687000 ₽ |
| 100 шт. | 6.173600 ₽ |
| 500 шт. | 5.936400 ₽ |
| 1000 шт. | 5.830800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 267W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.85V |
| Заряд затвора (Qg) | 36nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.518nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 91pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 15pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 35ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.16mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 270uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 35ns |
Описание
267W 40A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3L одиночные IGBT-транзисторы RoHS