IGBT 650V 80A D2PAK
Артикул: C603141
Part Number: AFGB40T65SQDN
Производитель: onsemi
от 6.373400 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.594400 ₽ |
| 10 шт. | 6.498500 ₽ |
| 30 шт. | 6.435200 ₽ |
| 100 шт. | 6.373400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 238W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 76nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.6V@40mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.495nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 9pF |
| Время задержки включения Td(on) | 17.6ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 75.2ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 858uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 229uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 131ns |
Описание
IGBT 650V 80A 238W поверхностный монтаж D2PAK