onsemi AFGB30T65SQDN
Артикул: C603140
Part Number: AFGB30T65SQDN
Производитель: onsemi
от 1.194700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.258200 ₽ |
| 200 шт. | 1.261200 ₽ |
| 500 шт. | 1.217400 ₽ |
| 800 шт. | 1.194700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 220W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 60A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V |
| Заряд затвора (Qg) | 56nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 2.1V@15V,30A |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.871nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 44pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 7pF |
| Время задержки включения Td(on) | 14.5ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 63.2ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 783uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 160uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 245ns |
Описание
220W 60A 650V TO-263 одиночные IGBT-транзисторы RoHS