Infineon DDB6U104N16RR
Артикул: C6022224
Part Number: DDB6U104N16RR
Производитель: Infineon
от 49.520800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 130.630700 ₽ |
| 195 шт. | 52.123400 ₽ |
| 495 шт. | 50.380400 ₽ |
| 1005 шт. | 49.520800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20mW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V;2.5V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.3nF@25V |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20mW 50A 1.2kV модули IGBT RoHS