DIODES DMT10H015LFG-13
Артикул: C6021899
Part Number: DMT10H015LFG-13
Производитель: DIODES
от 0.268800 ₽
В наличии: 2133 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.527800 ₽ |
| 10 шт. | 0.421900 ₽ |
| 30 шт. | 0.369800 ₽ |
| 100 шт. | 0.317700 ₽ |
| 500 шт. | 0.285100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.268800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A;42A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W;35W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 33.3nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.871nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 6.9pF |
Описание
100V 3.5V 13.5mΩ@10V 1 N-канальный PowerDI3333-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS