DIODES DMN13H750S-13
Артикул: C6021839
Part Number: DMN13H750S-13
Производитель: DIODES
от 0.158100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.416900 ₽ |
| 200 шт. | 0.166400 ₽ |
| 500 шт. | 0.160800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.158100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 130V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 1A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 770mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 750mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 5.6nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 231pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 11pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 19pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
770mW 130V 1A 4V 750mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SOT-23-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS