Hangzhou Silan Microelectronics SVF2N60RM
Артикул: C601627
Part Number: SVF2N60RM
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics
от 0.127600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.210200 ₽ |
| 10 шт. | 0.175000 ₽ |
| 30 шт. | 0.159900 ₽ |
| 75 шт. | 0.141100 ₽ |
| 525 шт. | 0.132700 ₽ |
| 975 шт. | 0.127600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.7Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 8.92nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 250pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.7pF |
Описание
600V 2A 4V 3.7Ω@10V 1 N-канальный TO-251 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)