Hangzhou Silan Microelectronics SVF8N65F
Артикул: C601614
Part Number: SVF8N65F
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics
от 0.565400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.908200 ₽ |
| 10 шт. | 0.768500 ₽ |
| 50 шт. | 0.698600 ₽ |
| 100 шт. | 0.628800 ₽ |
| 500 шт. | 0.586500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.565400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 48W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.4Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 14.47nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 902.3pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.2pF |
Описание
650V 8A 4V 48W 1.4Ω@10V 1 N-канальный TO-220 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)