ROHM RQ3E100GNTB
Артикул: C600682
Part Number: RQ3E100GNTB
Производитель: ROHM
от 0.397500 ₽
В наличии: 97 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.422100 ₽ |
| 10 шт. | 0.412300 ₽ |
| 30 шт. | 0.404100 ₽ |
| 100 шт. | 0.397500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W;15W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 7.9nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 420pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 32pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 120pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 10A 2.5V 11.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный HSMT-8(3x3.2) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS