NPN кремний эпитаксиальный планарный транзисторы для общего назначения применения, дарлингтона транзистор

NPN кремний эпитаксиальный планарный транзисторы для общего назначения применения, дарлингтона транзистор

Артикул: C596245 Part Number: MMBTA14W Производитель: ST(Semtech)
от 0.017400 ₽ В наличии: 2340 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
20 шт. 0.035200 ₽
200 шт. 0.027300 ₽
600 шт. 0.022900 ₽
3000 шт. 0.021000 ₽
9000 шт. 0.018700 ₽
21000 шт. 0.017400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Ток коллектора (Ic) 500mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 200mW
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 10000;20000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V@100mA,0.1mA
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 125MHz

Описание

30V 500mA NPN SOT-323 одиночные биполярные транзисторы RoHS